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高周波スパッタリング装置 VTR-151M/SRF (SCOTT-C3)
SCOTTシリーズ/ターボ分子ポンプ+油回転真空ポンプ/マグネトロンスパッタ



写真は旧タイプの製品となります。

 
概  要
RF電源を搭載した小型の高周波スパッタリング装置です。金属、半導体、絶縁物の成膜が可能なため、基礎研究開発等の実験用に最適です。

特 長
1.
絶縁物・金属・半導体材料のスパッタ装置です。
2.
メインポンプにターボ分子ポンプを使用しています。
3.
2インチ×3基のカソードで、3層までの多層成膜が可能です。
4.
マグネトロンスパッタで、スパッタ速度30nm/min(SiO2)が得られます。
5.
基板加熱機構(350℃)を搭載しています。

標 準 仕 様
型  式 VTR-151M/SRF (SCOTT-C3)



到達圧力
6.6×10-4Pa
排気時間
6.6×10-3Pa/5min


真空槽
金属チャンバー(内径φ310.5mm×高さ160mm)
カソード
2インチ、3元
基板推奨サイズ
φ2インチ(φ50.8mm) ×t1mm
有効成膜範囲
25mm
成膜速度
SiO2 成膜にて、30nm/min以上
膜厚分布
SiO2 成膜にて、25mm領域±10%以内
基板加熱温度
Max 350℃
基板/電極間距離
50mm ~ 90mm (可変:半固定)


メインポンプ
ターボ分子ポンプ 250L/sec
液体窒素トラップ
補助ポンプ
油回転真空ポンプ 200L/min
オイルミストトラップ
オイルミストトラップ OMT-200A


メインバルブ
バタフライバルブ
補助バルブ
三方向バルブ
自動リークバルブ
オプション
操作
手動


RF電源
Max 300W (0~300W可変)
ピラニ真空計
GP-1GRY
電離真空計
ISG1/SH2-1

最大寸法
1081mm(W)×853mm(D)×1104mm(H)
質量
400kg

ユーティリティ
型  式 VTR-151M/SRF (SCOTT-C3)
所要電気量
200V 単相 50/60Hz 3.5kVA
アース端子
A種 (接地抵抗値 10Ω以下)
所要水量
2.0 L/min (水温:25℃以下、水圧:200kPa (ゲージ圧))
取り合い (電源)
ビニルキャプタイヤケーブル(先バラ) 4m R3.5-5圧着端子付
取り合い (アース)
アースケーブル(先バラ) 4m R5.5-8圧着端子付
取り合い (水)
テトロンブレードホース(内径9mm×外径15mm)、4m(2本)

寸 法 図


真空槽内部構成
基本構成

 
[1]
封止フランジ
[2]
電極仕切り板
[3]
陰極
[4]
ガス導入
[5]
覗き窓
[6]
シャッターハンドル
[7]
シャッター
[8]
ベントバルブ
[9]
ゲージポート

ホルダー図

[標準]
  [特型例]
研究開発の目的に合わせて、カスタマイズいたします。

オプショナルパーツ
ガス導入追加
DC電源
マスフロコントローラー
φ4インチ 1元
基板加熱 600℃(チャンバー水冷)
 

お問合せ先
アルバック機工株式会社
東日本営業部  TEL 045-533-0205 FAX 045-533-0204
西日本営業部  TEL 06-6350-2166 FAX 06-6350-2169
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