スパッタリング装置

SCOTT/RFSシリーズ

RFS-201

概要

RF電源を搭載した小型の高周波スパッタリング装置です。金属、半導体、絶縁物の成膜が可能なため、基礎研究開発等の実験用に最適です。

特徴及び使用上の注意

  • 絶縁物・金属・半導体材料のスパッタ装置です。
  • メインポンプに油拡散ポンプを使用しています。
  • φ80mm×1基のカソードで、単層成膜が可能です。
  • コンベンショナルスパッタで、スパッタ速度20nm/min(SiO2)が得られます。

仕様

圧力単位

項目 単位 値
到達圧力 Pa 6.6×10-4
kPa -101.3 #1
排気時間   6.6×10-3Pa/5min
真空層   金属チャンバー(200mm(W)×250mm(D)×150mm(H))
カソード   φ80mm、1元
基板推奨サイズ   φ80mm×t1-5mm
有効成膜範囲   50mm
成膜速度 mm SiO2 成膜にて、20nm/min以上
膜厚分布   SiO2 成膜にて、50mm領域±8%以内
基板加熱温度   Max 350℃
基板/電極間距離   30～50mm(可変)
メインポンプ   油拡散ポンプ(水冷) 150L/sec
液体窒素トラップ   オプション
補助ポンプ   油回転真空ポンプ　100L/min
オイルミストトラップ   OMT-100A
メインバルブ   クラッパーバルブ
補助バルブ   三方向バルブ
自動リークバルブ   オプション
操作   手動
RF電源   Max 300W(0～300W可変)
ピラニ真空計   G-TRAN
電離真空計   オプション
最大寸法 mm 764(W) × 723(L) × 1648(H)
質量 kg 260
RoHS対応  

#1: 単位が[kPa]の到達圧力はゲージ圧表示です。

ユーティリティ

項目 単位 値
所要電気量(本体)   単相 (200V)(50/60Hz): 2.8kVA
アース端子   A種 (接地抵抗値 10Ω以下)
所要水量   5.0 L/min　(水温:25℃以下、水圧:200〜300kPa (ゲージ圧))
取り合い(電源)   ビニルキャプタイヤケーブル(R2-5 圧着端子付)　4m
取り合い(アース)   アースケーブル(銅板)　4m
取り合い(水)   テトロンブレードホース(内径9mm×外径15mm)、4m(2本)

寸法図および対応表

特記事項

  • 冷却水配管は、お客様にて準備願います。
  • 高周波申請が必要です。

対応オプショナルパーツ

No. 分類名 シリーズ 品名
1 成膜装置オプショナルパーツ 自動リークバルブ 補助ポンプ用自動リークバルブ
2 成膜装置オプショナルパーツ ガス導入ポート
3 成膜装置オプショナルパーツ ゲージポートセット
4 成膜装置オプショナルパーツ ハーメチックシールポートセット
5 成膜装置オプショナルパーツ 液体窒素トラップ
6 インライントラップ OMIシリーズ OMI-100
7 成膜装置オプショナルパーツ 基板加熱装置 基板加熱装置 SH-650F
8 成膜装置オプショナルパーツ 封止ブランジセット 封止フランジセット

各種書類・資料等のダウンロード