スパッタリング装置

SCOTT/RFSシリーズ

VTR-151M/SRF

概要

RF電源を搭載した小型の高周波スパッタリング装置です。金属、半導体、絶縁物の成膜が可能なため、基礎研究開発等の実験用に最適です。

特徴及び使用上の注意

  • 絶縁物・金属・半導体材料のスパッタ装置です。
  • メインポンプにターボ分子ポンプを使用しています。
  • 2インチ×3基のカソードで、3層までの多層成膜が可能です。
  • マグネトロンスパッタで、スパッタ速度30nm/min(SiO2)が得られます。
  • 基板加熱機構(350℃)を搭載しています。

仕様

圧力単位

項目 単位 値
到達圧力 Pa 6.6×10-4
kPa -101.3 #1
排気時間   6.6×10-3Pa/5min
真空層   金属チャンバー(内径φ310.5mm×高さ160mm)
カソード   2インチ、3元
基板推奨サイズ   φ2インチ(φ50.8mm) ×t1mm
有効成膜範囲   25mm
成膜速度 mm SiO2 成膜にて、30nm/min以上
膜厚分布   SiO2 成膜にて、25mm領域±10%以内
基板加熱温度   Max 350℃
基板/電極間距離   50mm ～ 90mm (可変:半固定)
メインポンプ   ターボ分子ポンプ 250L/sec
補助ポンプ   油回転真空ポンプ　200L/min
オイルミストトラップ   OMT-200A
メインバルブ   バタフライバルブ
補助バルブ   三方向バルブ
自動リークバルブ   オプション
操作   手動
RF電源   Max 300W　(0～300W可変)
ピラニ真空計   GP-1GRY
電離真空計   ISG1/SH2-1
最大寸法 mm 1081(W) × 853(L) × 1104(H)
質量 kg 400
RoHS対応  

#1: 単位が[kPa]の到達圧力はゲージ圧表示です。

ユーティリティ

項目 単位 値
所要電気量(本体)   単相 (200V)(50/60Hz): 3.5kVA
アース端子   A種 (接地抵抗値 10Ω以下)
所要水量   2.0 L/min　(水温:25℃以下、水圧:200kPa (ゲージ圧))
取り合い(電源)   ビニルキャプタイヤケーブル (先バラ)(R3.5-5圧着端子付)　4m
取り合い(アース)   アースケーブル (先バラ)(R5.5-8圧着端子付)　4m
取り合い(水)   テトロンブレードホース(内径9mm×外径15mm)、4m(2本)

寸法図および対応表

特記事項

  • 冷却水配管は、お客様にて準備願います。
  • 高周波申請が必要になります。

対応オプショナルパーツ

No. 分類名 シリーズ 品名
1 成膜装置オプショナルパーツ 自動リークバルブ 補助ポンプ用自動リークバルブ
2 成膜装置オプショナルパーツ ガス導入ポート
3 成膜装置オプショナルパーツ ゲージポートセット
4 成膜装置オプショナルパーツ ハーメチックシールポートセット
5 成膜装置オプショナルパーツ アダプター KF25 Adapter
6 インライントラップ OMIシリーズ OMI-200
7 成膜装置オプショナルパーツ 基板加熱装置 基板加熱装置 SCOTT-C3用 (600℃)
8 成膜装置オプショナルパーツ 封止ブランジセット 封止フランジセット
9 成膜装置オプショナルパーツ UFC070アダプター

各種書類・資料等のダウンロード